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First-principles calculations of Seebeck coefficients in a magnetic semiconductor CuFeS2

机译:磁性半导体CuFeS2中塞贝克系数的第一性原理计算

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摘要

We analyze the Seebeck coefficients of a magnetic semiconductor CuFeS2 using first-principles calculation methods based on density functional theory. The calculated temperature dependence of the Seebeck coefficient in the antiferromagnetic phase reproduces a distinctive behavior in a bulk CuFeS2, such as a peak structure at a low temperature and weak temperature dependence around room temperature. In doped systems, almost linear temperature dependence appears. Despite not including any effect beyond the conventional spin density functional theory in our calculations, the calculated results agree qualitatively with the experimental results. These agreements indicate that the behavior of the Seebeck coefficients in CuFeS2 is mainly determined by its electronic structure.
机译:我们使用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法来分析磁性半导体CuFeS2的塞贝克系数。计算出的反铁磁相中塞贝克系数的温度依赖性在块状CuFeS2中再现了独特的行为,例如低温下的峰结构和室温附近的弱温度依赖性。在掺杂系统中,出现了几乎线性的温度依赖性。尽管我们的计算中没有包括传统自旋密度泛函理论之外的任何影响,但计算结果与实验结果在质量上是一致的。这些协议表明,CuFeS2中塞贝克系数的行为主要由其电子结构决定。

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